Asosiy kontentga oʻtish
AkademScholar

Kashfiyot

Xizmatlar

Identifikatsiya

Ishlab chiquvchilar uchun

Ekotizim

Jurnal

Computational Materials Science

ISSN:
0927-0256
3
h-indeks
23
Iqtiboslar
12
Asarlar

Ishonch signallari

1 dan 3 signal mavjud

Mustaqil ijobiy signallar — yagona “predator/qonuniy” hukmi emas, balki yaqinlashuvchi tasvir.

  • DOAJ
    Maʼlumot yoʻq
    doaj.org
  • OAK roʻyxati
    Maʼlumot yoʻq
    OAK
  • Yaroqli ISSN
    Mavjud
    ISSN

Bu axborot yorligʻi, rasmiy qaror emas. Signal yoʻqligi jazo emas — masalan, mintaqaviy jurnal DOAJ'da boʻlmasligi mumkin.

Vaqt boʻyicha

Vaqt boʻyicha tahlil

Iqtibos sharhi

Yillar boʻyicha nashrlar (ustun) va iqtiboslar (chiziq)

  • Nashrlar
  • Iqtiboslar
0120134520072008201620172018202020222024202520262007: Nashrlar 0, Iqtiboslar 12008: Nashrlar 2, Iqtiboslar 32016: Nashrlar 0, Iqtiboslar 12017: Nashrlar 0, Iqtiboslar 12018: Nashrlar 1, Iqtiboslar 02020: Nashrlar 1, Iqtiboslar 02022: Nashrlar 0, Iqtiboslar 22024: Nashrlar 0, Iqtiboslar 32025: Nashrlar 2, Iqtiboslar 22026: Nashrlar 0, Iqtiboslar 2

Iqtibos tarixi

0134520072008201620172018202020222024202520262007: Iqtiboslar 12008: Iqtiboslar 32016: Iqtiboslar 12017: Iqtiboslar 12018: Iqtiboslar 02020: Iqtiboslar 02022: Iqtiboslar 22024: Iqtiboslar 32025: Iqtiboslar 22026: Iqtiboslar 2

Nashr tarixi

01220072008201620172018202020222024202520262007: Nashrlar 02008: Nashrlar 22016: Nashrlar 02017: Nashrlar 02018: Nashrlar 12020: Nashrlar 12022: Nashrlar 02024: Nashrlar 02025: Nashrlar 22026: Nashrlar 0

h-indeks evolyutsiyasi

Yillar boʻyicha jamlangan h-indeks

0134520072008201620172018202020222024202520262007: h-indeks 22008: h-indeks 22016: h-indeks 22017: h-indeks 22018: h-indeks 22020: h-indeks 22022: h-indeks 22024: h-indeks 32025: h-indeks 32026: h-indeks 3

Eng koʻp iqtibos qilingan asarlar

  1. A new semiempirical electronic structure and total energy calculation method for solids and large molecules19948 iqtibos
  2. Bulk Si1−xGex single- and poly-crystals: a new prospective material for electronics20013 iqtibos
  3. High-temperature thermoelectric performance of spinel MgGa2O4 through a first-principles and Boltzmann transport study20253 iqtibos
  4. Low-energy P+ ion channeling and implantation into Si(110), SiC(110), GaP(110) and GaAs(110)20053 iqtibos
  5. Computer simulation of sputtering and oxygen desorption processes at grazing ion bombardment of Ag( 110 ) surface20032 iqtibos
  6. Study of ion scattering and dechanneling from surface defect structure by computer simulation20022 iqtibos
  7. Sputtering of ice films by the bombardment of Ar+ ions20081 iqtibos
  8. Electronic transport of CNT-encapsulated carbyne20201 iqtibos
  9. Investigation of sputtering and oxygen desorption processes by binary collision approximation method20050 iqtibos
  10. Influence of Ge content on formation of radiation defects in Si1−xGex solid solutions20080 iqtibos
AkademIndex'da koʻrish →