Asosiy kontentga oʻtish
AkademScholar

Kashfiyot

Xizmatlar

Identifikatsiya

Ishlab chiquvchilar uchun

Ekotizim

Jurnal

Advances in Condensed Matter Physics

ISSN:
1687-8108
5
h-indeks
62
Iqtiboslar
7
Asarlar

Ishonch signallari

1 dan 3 signal mavjud

Mustaqil ijobiy signallar — yagona “predator/qonuniy” hukmi emas, balki yaqinlashuvchi tasvir.

  • DOAJ
    Maʼlumot yoʻq
    doaj.org
  • OAK roʻyxati
    Maʼlumot yoʻq
    OAK
  • Yaroqli ISSN
    Mavjud
    ISSN

Bu axborot yorligʻi, rasmiy qaror emas. Signal yoʻqligi jazo emas — masalan, mintaqaviy jurnal DOAJ'da boʻlmasligi mumkin.

Vaqt boʻyicha

Vaqt boʻyicha tahlil

Iqtibos sharhi

Yillar boʻyicha nashrlar (ustun) va iqtiboslar (chiziq)

  • Nashrlar
  • Iqtiboslar
0120510152020172018201920202021202220232024202520262017: Nashrlar 2, Iqtiboslar 12018: Nashrlar 0, Iqtiboslar 22019: Nashrlar 2, Iqtiboslar 32020: Nashrlar 1, Iqtiboslar 42021: Nashrlar 1, Iqtiboslar 62022: Nashrlar 0, Iqtiboslar 72023: Nashrlar 0, Iqtiboslar 122024: Nashrlar 0, Iqtiboslar 122025: Nashrlar 0, Iqtiboslar 62026: Nashrlar 0, Iqtiboslar 9

Iqtibos tarixi

0510152020172018201920202021202220232024202520262017: Iqtiboslar 12018: Iqtiboslar 22019: Iqtiboslar 32020: Iqtiboslar 42021: Iqtiboslar 62022: Iqtiboslar 72023: Iqtiboslar 122024: Iqtiboslar 122025: Iqtiboslar 62026: Iqtiboslar 9

Nashr tarixi

01220172018201920202021202220232024202520262017: Nashrlar 22018: Nashrlar 02019: Nashrlar 22020: Nashrlar 12021: Nashrlar 12022: Nashrlar 02023: Nashrlar 02024: Nashrlar 02025: Nashrlar 02026: Nashrlar 0

h-indeks evolyutsiyasi

Yillar boʻyicha jamlangan h-indeks

0134520172018201920202021202220232024202520262017: h-indeks 12018: h-indeks 12019: h-indeks 22020: h-indeks 32021: h-indeks 32022: h-indeks 32023: h-indeks 42024: h-indeks 42025: h-indeks 42026: h-indeks 5

Eng koʻp iqtibos qilingan asarlar

  1. Determination of the Density of Energy States in a Quantizing Magnetic Field for Model Kane201614 iqtibos
  2. Investigation of the Crystallographic Perfection and Photoluminescence Spectrum of the Epitaxial Films of (Si2)1-x(GaP)x<a:math xmlns:a="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" id="M1"> <a:mfenced open="(" close=")" separators="|"> <a:mrow> <a:mn>0</a:mn> <a:mo>≤</a:mo> <a:mi>x</a:mi> <a:mo>≤</a:mo> <a:mn>1</a:mn> </a:mrow> </a:mfenced> </a:math> Solid Solution, Grown on Si and GaP Substrates with the Crystallographic Orientation (111)202113 iqtibos
  3. Energy Levels in Nanowires and Nanorods with a Finite Potential Well202011 iqtibos
  4. On the Heat Capacity of a Quasi-Two-Dimensional Electron Gas201910 iqtibos
  5. Influence of Pressure on the Temperature Dependence of Quantum Oscillation Phenomena in Semiconductors20177 iqtibos
  6. Fast Switching 4<i>H</i>-SiC<i> P-i-n</i> Structures Fabricated by Low Temperature Diffusion of Al20174 iqtibos
  7. Shubnikov–de Haas Oscillations in Semiconductors at the Microwave-Radiation Absorption20193 iqtibos
AkademIndex'da koʻrish →