Asosiy kontentga oʻtish
AkademScholar

Kashfiyot

Xizmatlar

Identifikatsiya

Ishlab chiquvchilar uchun

Ekotizim

Jurnal

Physica status solidi. C, Conferences and critical reviews/Physica status solidi. C, Current topics in solid state physics

ISSN:
1610-1634
2
h-indeks
32
Iqtiboslar
8
Asarlar

Ishonch signallari

1 dan 3 signal mavjud

Mustaqil ijobiy signallar — yagona “predator/qonuniy” hukmi emas, balki yaqinlashuvchi tasvir.

  • DOAJ
    Maʼlumot yoʻq
    doaj.org
  • OAK roʻyxati
    Maʼlumot yoʻq
    OAK
  • Yaroqli ISSN
    Mavjud
    ISSN

Bu axborot yorligʻi, rasmiy qaror emas. Signal yoʻqligi jazo emas — masalan, mintaqaviy jurnal DOAJ'da boʻlmasligi mumkin.

Vaqt boʻyicha

Vaqt boʻyicha tahlil

Iqtibos sharhi

Yillar boʻyicha nashrlar (ustun) va iqtiboslar (chiziq)

  • Nashrlar
  • Iqtiboslar
0103581020172018201920202021202220232024202520262017: Nashrlar 1, Iqtiboslar 12018: Nashrlar 0, Iqtiboslar 22019: Nashrlar 0, Iqtiboslar 22020: Nashrlar 0, Iqtiboslar 82021: Nashrlar 0, Iqtiboslar 52022: Nashrlar 0, Iqtiboslar 12023: Nashrlar 0, Iqtiboslar 32024: Nashrlar 0, Iqtiboslar 42025: Nashrlar 0, Iqtiboslar 12026: Nashrlar 0, Iqtiboslar 1

Iqtibos tarixi

03581020172018201920202021202220232024202520262017: Iqtiboslar 12018: Iqtiboslar 22019: Iqtiboslar 22020: Iqtiboslar 82021: Iqtiboslar 52022: Iqtiboslar 12023: Iqtiboslar 32024: Iqtiboslar 42025: Iqtiboslar 12026: Iqtiboslar 1

Nashr tarixi

0120172018201920202021202220232024202520262017: Nashrlar 12018: Nashrlar 02019: Nashrlar 02020: Nashrlar 02021: Nashrlar 02022: Nashrlar 02023: Nashrlar 02024: Nashrlar 02025: Nashrlar 02026: Nashrlar 0

h-indeks evolyutsiyasi

Yillar boʻyicha jamlangan h-indeks

01220172018201920202021202220232024202520262017: h-indeks 12018: h-indeks 22019: h-indeks 22020: h-indeks 22021: h-indeks 22022: h-indeks 22023: h-indeks 22024: h-indeks 22025: h-indeks 22026: h-indeks 2

Eng koʻp iqtibos qilingan asarlar

  1. Formation of nanodimensional structures on surfaces of GaAs and Si by means of ion implantation201421 iqtibos
  2. Fundamental processes of radiation modification of semiconductor nanostructures20138 iqtibos
  3. Positron probing of open vacancy volume of phosphorus‐vacancy complexes in float‐zone n‐type silicon irradiated by 0.9‐MeV electrons and by 15‐MeV protons20171 iqtibos
  4. Thermal conductivity features of nanostructured CdS/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub> composites20071 iqtibos
  5. Positron annihilation lifetime in float‐zone n‐type silicon irradiated by fast electrons: a thermally stable vacancy defect20161 iqtibos
  6. Efficient luminescence from rhodamine 6G absorbed by porous alumina: Excitation mechanisms20070 iqtibos
  7. In‐situ doping and implantation of GaN layers with Mn20090 iqtibos
  8. Size‐dependent structural properties of quasi‐one‐dimensional silicon clusters20120 iqtibos
AkademIndex'da koʻrish →