Asosiy kontentga oʻtish
AkademScholar

Kashfiyot

Xizmatlar

Identifikatsiya

Ishlab chiquvchilar uchun

Ekotizim

Jurnal

Physical Sciences and Technology

ISSN:
2409-6121
4
h-indeks
46
Iqtiboslar
14
Asarlar

Ishonch signallari

1 dan 3 signal mavjud

Mustaqil ijobiy signallar — yagona “predator/qonuniy” hukmi emas, balki yaqinlashuvchi tasvir.

  • DOAJ
    Maʼlumot yoʻq
    doaj.org
  • OAK roʻyxati
    Maʼlumot yoʻq
    OAK
  • Yaroqli ISSN
    Mavjud
    ISSN

Bu axborot yorligʻi, rasmiy qaror emas. Signal yoʻqligi jazo emas — masalan, mintaqaviy jurnal DOAJ'da boʻlmasligi mumkin.

Vaqt boʻyicha

Vaqt boʻyicha tahlil

Iqtibos sharhi

Yillar boʻyicha nashrlar (ustun) va iqtiboslar (chiziq)

  • Nashrlar
  • Iqtiboslar
013450613192520172019202220232024202520262017: Nashrlar 1, Iqtiboslar 02019: Nashrlar 1, Iqtiboslar 02022: Nashrlar 2, Iqtiboslar 02023: Nashrlar 3, Iqtiboslar 22024: Nashrlar 4, Iqtiboslar 242025: Nashrlar 3, Iqtiboslar 142026: Nashrlar 0, Iqtiboslar 6

Iqtibos tarixi

0613192520172019202220232024202520262017: Iqtiboslar 02019: Iqtiboslar 02022: Iqtiboslar 02023: Iqtiboslar 22024: Iqtiboslar 242025: Iqtiboslar 142026: Iqtiboslar 6

Nashr tarixi

0134520172019202220232024202520262017: Nashrlar 12019: Nashrlar 12022: Nashrlar 22023: Nashrlar 32024: Nashrlar 42025: Nashrlar 32026: Nashrlar 0

h-indeks evolyutsiyasi

Yillar boʻyicha jamlangan h-indeks

0134520172019202220232024202520262017: h-indeks 02019: h-indeks 02022: h-indeks 02023: h-indeks 12024: h-indeks 32025: h-indeks 42026: h-indeks 4

Eng koʻp iqtibos qilingan asarlar

  1. Modeling and calibration of electrical features of p-n junctions based on Si and GaAs202411 iqtibos
  2. Obtaining manganese silicide films on a silicon substrate by the diffusion method202211 iqtibos
  3. Determination of the resistance of external parameters to the degradation of the parameters of silicon photocells with input nickel atoms202210 iqtibos
  4. Clusters of impurity nickel atoms and their migration in the crystal lattice of silicon20237 iqtibos
  5. The High-temperature analysis of silicon properties with manganese-oxygen binary complexes20243 iqtibos
  6. The Physical mechanisms of gettering properties of nickel clusters in silicon solar cells20242 iqtibos
  7. X-RAY fluorescence analysis of mineral composition in Khaudak and Uchkizil groundwaters, Uzbekistan20251 iqtibos
  8. Optimal regime of the double-sided drift of lithium ions into silicon monocrystal20231 iqtibos
  9. SN2017ein: bolometric light curve and physical parameters20170 iqtibos
  10. The fundamental equation of the field theory in De Sitter pulse space20190 iqtibos
AkademIndex'da koʻrish →