Asosiy kontentga oʻtish
AkademScholar

Kashfiyot

Xizmatlar

Identifikatsiya

Ishlab chiquvchilar uchun

Ekotizim

Jurnal

Technical Physics

ISSN:
1063-7842
10
h-indeks
370
Iqtiboslar
133
Asarlar

Ishonch signallari

1 dan 3 signal mavjud

Mustaqil ijobiy signallar — yagona “predator/qonuniy” hukmi emas, balki yaqinlashuvchi tasvir.

  • DOAJ
    Maʼlumot yoʻq
    doaj.org
  • OAK roʻyxati
    Maʼlumot yoʻq
    OAK
  • Yaroqli ISSN
    Mavjud
    ISSN

Bu axborot yorligʻi, rasmiy qaror emas. Signal yoʻqligi jazo emas — masalan, mintaqaviy jurnal DOAJ'da boʻlmasligi mumkin.

Vaqt boʻyicha

Vaqt boʻyicha tahlil

Iqtibos sharhi

Yillar boʻyicha nashrlar (ustun) va iqtiboslar (chiziq)

  • Nashrlar
  • Iqtiboslar
05101520025507510020172018201920202021202220232024202520262017: Nashrlar 5, Iqtiboslar 122018: Nashrlar 2, Iqtiboslar 82019: Nashrlar 12, Iqtiboslar 222020: Nashrlar 4, Iqtiboslar 322021: Nashrlar 2, Iqtiboslar 572022: Nashrlar 1, Iqtiboslar 452023: Nashrlar 0, Iqtiboslar 772024: Nashrlar 1, Iqtiboslar 472025: Nashrlar 0, Iqtiboslar 152026: Nashrlar 0, Iqtiboslar 12

Iqtibos tarixi

025507510020172018201920202021202220232024202520262017: Iqtiboslar 122018: Iqtiboslar 82019: Iqtiboslar 222020: Iqtiboslar 322021: Iqtiboslar 572022: Iqtiboslar 452023: Iqtiboslar 772024: Iqtiboslar 472025: Iqtiboslar 152026: Iqtiboslar 12

Nashr tarixi

0510152020172018201920202021202220232024202520262017: Nashrlar 52018: Nashrlar 22019: Nashrlar 122020: Nashrlar 42021: Nashrlar 22022: Nashrlar 12023: Nashrlar 02024: Nashrlar 12025: Nashrlar 02026: Nashrlar 0

h-indeks evolyutsiyasi

Yillar boʻyicha jamlangan h-indeks

03581020172018201920202021202220232024202520262017: h-indeks 42018: h-indeks 42019: h-indeks 42020: h-indeks 52021: h-indeks 72022: h-indeks 72023: h-indeks 92024: h-indeks 102025: h-indeks 102026: h-indeks 10

Eng koʻp iqtibos qilingan asarlar

  1. Optimum ion implantation and annealing conditions for stimulating secondary negative ion emission201120 iqtibos
  2. Electron spectroscopy of the nanostructures created in Si, GaAs, and CaF2 surface layers using low-energy ion implantation201320 iqtibos
  3. Structure and Properties of a Bilayer Nanodimensional CoSi2/Si/CoSi2/Si System Obtained by Ion Implantation201816 iqtibos
  4. Formation of nanosize silicides films on the Si(111) and Si(100) surfaces by low-energy ion implantation201415 iqtibos
  5. Analysis of the structure and properties of heterostructured nanofilms prepared by epitaxy and ion implantation methods201315 iqtibos
  6. Electronic structure of Ga1–x Al x As nanostructures grown on the GaAs surface by ion implantation201514 iqtibos
  7. Composition and properties of nanoscale Si structures formed on the CoSi2/Si(111) surface by Ar+ ion bombardment201714 iqtibos
  8. Effect of the O+2-ion bombardment on the TiN composition and structure201513 iqtibos
  9. Escape Depth of Secondary and Photoelectrons from CdTe Films with a Ba Film201912 iqtibos
  10. Silicon with Magnetic Nanoclusters of Manganese Atoms as a New Ferromagnetic Material201911 iqtibos
AkademIndex'da koʻrish →