Asosiy kontentga oʻtish
AkademScholar
Kitob seriyasi

Materials science forum

ISSN:
0255-5476
3
h-indeks
44
Iqtiboslar
86
Asarlar

Ishonch signallari

1 dan 3 signal mavjud

Mustaqil ijobiy signallar — yagona “predator/qonuniy” hukmi emas, balki yaqinlashuvchi tasvir.

  • DOAJ
    Maʼlumot yoʻq
    doaj.org
  • OAK roʻyxati
    Maʼlumot yoʻq
    OAK
  • Yaroqli ISSN
    Mavjud
    ISSN

Bu axborot yorligʻi, rasmiy qaror emas. Signal yoʻqligi jazo emas — masalan, mintaqaviy jurnal DOAJ'da boʻlmasligi mumkin.

Vaqt boʻyicha

Vaqt boʻyicha tahlil

Iqtibos sharhi

Yillar boʻyicha nashrlar (ustun) va iqtiboslar (chiziq)

  • Nashrlar
  • Iqtiboslar
0358100134520172018201920202021202220232024202520262017: Nashrlar 1, Iqtiboslar 02018: Nashrlar 1, Iqtiboslar 12019: Nashrlar 1, Iqtiboslar 02020: Nashrlar 3, Iqtiboslar 02021: Nashrlar 0, Iqtiboslar 42022: Nashrlar 7, Iqtiboslar 32023: Nashrlar 0, Iqtiboslar 52024: Nashrlar 2, Iqtiboslar 52025: Nashrlar 0, Iqtiboslar 32026: Nashrlar 0, Iqtiboslar 5

Iqtibos tarixi

0134520172018201920202021202220232024202520262017: Iqtiboslar 02018: Iqtiboslar 12019: Iqtiboslar 02020: Iqtiboslar 02021: Iqtiboslar 42022: Iqtiboslar 32023: Iqtiboslar 52024: Iqtiboslar 52025: Iqtiboslar 32026: Iqtiboslar 5

Nashr tarixi

03581020172018201920202021202220232024202520262017: Nashrlar 12018: Nashrlar 12019: Nashrlar 12020: Nashrlar 32021: Nashrlar 02022: Nashrlar 72023: Nashrlar 02024: Nashrlar 22025: Nashrlar 02026: Nashrlar 0

h-indeks evolyutsiyasi

Yillar boʻyicha jamlangan h-indeks

0134520172018201920202021202220232024202520262017: h-indeks 22018: h-indeks 22019: h-indeks 22020: h-indeks 22021: h-indeks 22022: h-indeks 22023: h-indeks 22024: h-indeks 22025: h-indeks 22026: h-indeks 3

Eng koʻp iqtibos qilingan asarlar

  1. Investigation of Defect InP(001) Surface by Low Energy Ion Scаttering Spectroscopy20228 iqtibos
  2. Treated Textile Electrostatic Properties Study20206 iqtibos
  3. Low Energy Ar<sup>+</sup> Ions Scattering from SiO<sub>2 </sub>(001)<Ι10> Surface under Grazing Incidence20223 iqtibos
  4. 4H-SiC Layers Grown by Liquid Phase Epitaxy on 4H-SiC Off-Axis Substrates20002 iqtibos
  5. Electrical Characteristics of 4H-SiC pn Diode Grown by LPE Method20022 iqtibos
  6. Investigation of p-3C-SiC/n+-6H-SiC Heterojunctions with Low Doped p-3C-SiC Region20032 iqtibos
  7. High-Quality 3C-SiC pn-Structures Created by Sublimation Epitaxy on a 6H-SiC Substrate20042 iqtibos
  8. Influence of Gamma-Ray and Neutron Irradiation on Injection Characteristics of 4H-SiC pn Structures20052 iqtibos
  9. System Analysis and Simulation of the Process of Destructive Hydrogenization of Deasphaltisate of Heavy Oil20222 iqtibos
  10. Ion Implantation - Tool for Fabrication of Advanced 4H-SiC Devices20022 iqtibos