Asosiy kontentga oʻtish
AkademScholar

Mahsulotlar

Ishlab chiquvchilar uchun

AkademBasetez oradaDasturchilar API
Jurnal

Computational Materials Science

ISSN:
0927-0256
3
h-indeks
20
Iqtiboslar
12
Asarlar
0.50
2-yillik oʻrtacha iqtibos

Ishonch signallari

1 dan 3 signal mavjud

Mustaqil ijobiy signallar — yagona “predator/qonuniy” hukmi emas, balki yaqinlashuvchi tasvir.

  • DOAJ
    Maʼlumot yoʻq
    doaj.org
  • OAK roʻyxati
    Maʼlumot yoʻq
    OAK
  • Yaroqli ISSN
    Mavjud
    ISSN

Bu axborot yorligʻi, rasmiy qaror emas. Signal yoʻqligi jazo emas — masalan, mintaqaviy jurnal DOAJ'da boʻlmasligi mumkin.

Vaqt boʻyicha

Vaqt boʻyicha tahlil

Iqtibos sharhi

Yillar boʻyicha nashrlar (ustun) va iqtiboslar (chiziq)

  • Nashrlar
  • Iqtiboslar
0120134520072008201620172018202020222024202520262007: Nashrlar 0, Iqtiboslar 12008: Nashrlar 2, Iqtiboslar 32016: Nashrlar 0, Iqtiboslar 12017: Nashrlar 0, Iqtiboslar 12018: Nashrlar 1, Iqtiboslar 02020: Nashrlar 1, Iqtiboslar 02022: Nashrlar 0, Iqtiboslar 22024: Nashrlar 0, Iqtiboslar 22025: Nashrlar 2, Iqtiboslar 22026: Nashrlar 0, Iqtiboslar 1

Iqtibos tarixi

0134520072008201620172018202020222024202520262007: Iqtiboslar 12008: Iqtiboslar 32016: Iqtiboslar 12017: Iqtiboslar 12018: Iqtiboslar 02020: Iqtiboslar 02022: Iqtiboslar 22024: Iqtiboslar 22025: Iqtiboslar 22026: Iqtiboslar 1

Nashr tarixi

01220072008201620172018202020222024202520262007: Nashrlar 02008: Nashrlar 22016: Nashrlar 02017: Nashrlar 02018: Nashrlar 12020: Nashrlar 12022: Nashrlar 02024: Nashrlar 02025: Nashrlar 22026: Nashrlar 0

h-indeks evolyutsiyasi

Yillar boʻyicha jamlangan h-indeks

0134520072008201620172018202020222024202520262007: h-indeks 12008: h-indeks 22016: h-indeks 22017: h-indeks 22018: h-indeks 22020: h-indeks 22022: h-indeks 22024: h-indeks 22025: h-indeks 22026: h-indeks 3

Eng koʻp iqtibos qilingan asarlar

  1. A new semiempirical electronic structure and total energy calculation method for solids and large molecules19948 iqtibos
  2. Bulk Si1−xGex single- and poly-crystals: a new prospective material for electronics20013 iqtibos
  3. High-temperature thermoelectric performance of spinel MgGa2O4 through a first-principles and Boltzmann transport study20253 iqtibos
  4. Low-energy P+ ion channeling and implantation into Si(110), SiC(110), GaP(110) and GaAs(110)20052 iqtibos
  5. Study of ion scattering and dechanneling from surface defect structure by computer simulation20022 iqtibos
  6. Computer simulation of sputtering and oxygen desorption processes at grazing ion bombardment of Ag( 110 ) surface20031 iqtibos
  7. Sputtering of ice films by the bombardment of Ar+ ions20081 iqtibos
  8. Investigation of sputtering and oxygen desorption processes by binary collision approximation method20050 iqtibos
  9. Influence of Ge content on formation of radiation defects in Si1−xGex solid solutions20080 iqtibos
  10. Electronic transport calculations for CO2 adsorption on calcium-decorated graphene nanoribbons20180 iqtibos
AkademIndex'da koʻrish →