Asosiy kontentga oʻtish
AkademScholar

Mahsulotlar

Ishlab chiquvchilar uchun

AkademBasetez oradaDasturchilar API
Jurnal

Физика и техника полупроводников

ISSN:
0015-3222
2
h-indeks
11
Iqtiboslar
16
Asarlar

Ishonch signallari

1 dan 3 signal mavjud

Mustaqil ijobiy signallar — yagona “predator/qonuniy” hukmi emas, balki yaqinlashuvchi tasvir.

  • DOAJ
    Maʼlumot yoʻq
    doaj.org
  • OAK roʻyxati
    Maʼlumot yoʻq
    OAK
  • Yaroqli ISSN
    Mavjud
    ISSN

Bu axborot yorligʻi, rasmiy qaror emas. Signal yoʻqligi jazo emas — masalan, mintaqaviy jurnal DOAJ'da boʻlmasligi mumkin.

Vaqt boʻyicha

Vaqt boʻyicha tahlil

Iqtibos sharhi

Yillar boʻyicha nashrlar (ustun) va iqtiboslar (chiziq)

  • Nashrlar
  • Iqtiboslar
0358100134520182020202120222023202420252018: Nashrlar 1, Iqtiboslar 02020: Nashrlar 3, Iqtiboslar 02021: Nashrlar 1, Iqtiboslar 02022: Nashrlar 10, Iqtiboslar 22023: Nashrlar 1, Iqtiboslar 22024: Nashrlar 0, Iqtiboslar 52025: Nashrlar 0, Iqtiboslar 2

Iqtibos tarixi

0134520182020202120222023202420252018: Iqtiboslar 02020: Iqtiboslar 02021: Iqtiboslar 02022: Iqtiboslar 22023: Iqtiboslar 22024: Iqtiboslar 52025: Iqtiboslar 2

Nashr tarixi

03581020182020202120222023202420252018: Nashrlar 12020: Nashrlar 32021: Nashrlar 12022: Nashrlar 102023: Nashrlar 12024: Nashrlar 02025: Nashrlar 0

h-indeks evolyutsiyasi

Yillar boʻyicha jamlangan h-indeks

01220182020202120222023202420252018: h-indeks 02020: h-indeks 02021: h-indeks 02022: h-indeks 12023: h-indeks 12024: h-indeks 22025: h-indeks 2

Eng koʻp iqtibos qilingan asarlar

  1. Effect of nickel on the lifetime of charge carriers in silicon solar cells20225 iqtibos
  2. Effect of the presence of a sufficiently high phosphorus concentration on the concentration distribution of gallium in silicon20222 iqtibos
  3. Features of the electrophysical parameters of silicon serially doped with impurity atoms of phosphorus and boron20221 iqtibos
  4. Polarization-spectral dependences of three-photon interband absorption of light and linear-circular dichroism in semiconductors with cubic symmetry20221 iqtibos
  5. Сравнительное исследование фотоэлементов на основе кремния, легированного никелем различными методами20221 iqtibos
  6. Comparative study of photocells based on silicon doped with nickel by various methods20221 iqtibos
  7. Эффект инжекционного обеднения в p-Si-n-(Si-=SUB=-2-=/SUB=-)-=SUB=-1-x-=/SUB=-(ZnSe)-=SUB=-x-=/SUB=- (0≤ x≤0.01) гетероструктуре20180 iqtibos
  8. Анизотропия отрицательного магнетосопротивления в эапитаксиальных слоях GaMnAs20200 iqtibos
  9. Размерное квантование в n-GaP20200 iqtibos
  10. Влияние одноосной упругой деформации на вольт-амперную характеристику поверхностно-барьерных диодов Sb-p-Si<Mn>-Au20200 iqtibos
AkademIndex'da koʻrish →