Asosiy kontentga oʻtish
AkademScholar

Mahsulotlar

Ishlab chiquvchilar uchun

AkademBasetez oradaDasturchilar API
Jurnal

Radioelectronics and Communications Systems

ISSN:
0735-2727
1
h-indeks
4
Iqtiboslar
10
Asarlar

Ishonch signallari

1 dan 3 signal mavjud

Mustaqil ijobiy signallar — yagona “predator/qonuniy” hukmi emas, balki yaqinlashuvchi tasvir.

  • DOAJ
    Maʼlumot yoʻq
    doaj.org
  • OAK roʻyxati
    Maʼlumot yoʻq
    OAK
  • Yaroqli ISSN
    Mavjud
    ISSN

Bu axborot yorligʻi, rasmiy qaror emas. Signal yoʻqligi jazo emas — masalan, mintaqaviy jurnal DOAJ'da boʻlmasligi mumkin.

Vaqt boʻyicha

Vaqt boʻyicha tahlil

Iqtibos sharhi

Yillar boʻyicha nashrlar (ustun) va iqtiboslar (chiziq)

  • Nashrlar
  • Iqtiboslar
013450122008200920112012201520172018202020252008: Nashrlar 2, Iqtiboslar 02009: Nashrlar 2, Iqtiboslar 02011: Nashrlar 3, Iqtiboslar 02012: Nashrlar 1, Iqtiboslar 02015: Nashrlar 0, Iqtiboslar 12017: Nashrlar 1, Iqtiboslar 02018: Nashrlar 0, Iqtiboslar 12020: Nashrlar 1, Iqtiboslar 02025: Nashrlar 0, Iqtiboslar 2

Iqtibos tarixi

0122008200920112012201520172018202020252008: Iqtiboslar 02009: Iqtiboslar 02011: Iqtiboslar 02012: Iqtiboslar 02015: Iqtiboslar 12017: Iqtiboslar 02018: Iqtiboslar 12020: Iqtiboslar 02025: Iqtiboslar 2

Nashr tarixi

013452008200920112012201520172018202020252008: Nashrlar 22009: Nashrlar 22011: Nashrlar 32012: Nashrlar 12015: Nashrlar 02017: Nashrlar 12018: Nashrlar 02020: Nashrlar 12025: Nashrlar 0

h-indeks evolyutsiyasi

Yillar boʻyicha jamlangan h-indeks

012008200920112012201520172018202020252008: h-indeks 02009: h-indeks 02011: h-indeks 02012: h-indeks 02015: h-indeks 12017: h-indeks 12018: h-indeks 12020: h-indeks 12025: h-indeks 1

Eng koʻp iqtibos qilingan asarlar

  1. Influence of neutron radiation on breakdown voltage of silicon voltage limiter20122 iqtibos
  2. Calculation of resonance frequencies of electrons present in the contact area of two semiconductors20111 iqtibos
  3. Research of complex differential conductivity of multi-layer heterostructures20111 iqtibos
  4. Optical FET output characteristics research in light-activated mode20080 iqtibos
  5. Specialities of optical FET with tin-doped junction channel20080 iqtibos
  6. Measurement of efficient thickness of transition layer, stimulated by microwave radiation, in contacts Mo-GaAs20090 iqtibos
  7. Modification of Au-Ti(W, Cr, TiB x )-GaAs contacts properties caused by external influences20090 iqtibos
  8. Research of characteristics of multi-frequency laser radiation in case of mode retuning20110 iqtibos
  9. On mechanism of radiative sensitivity of power diode direct voltage drop20170 iqtibos
  10. Method for Compensation of Atmospheric Nonstationarity in Heterodyne Interferometer Measurements20200 iqtibos
AkademIndex'da koʻrish →