Asosiy kontentga oʻtish
AkademScholar

Mahsulotlar

Ishlab chiquvchilar uchun

AkademBasetez oradaDasturchilar API
Jurnal

Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics

ISSN:
1560-8034
2
h-indeks
17
Iqtiboslar
16
Asarlar

Ishonch signallari

1 dan 3 signal mavjud

Mustaqil ijobiy signallar — yagona “predator/qonuniy” hukmi emas, balki yaqinlashuvchi tasvir.

  • DOAJ
    Maʼlumot yoʻq
    doaj.org
  • OAK roʻyxati
    Maʼlumot yoʻq
    OAK
  • Yaroqli ISSN
    Mavjud
    ISSN

Bu axborot yorligʻi, rasmiy qaror emas. Signal yoʻqligi jazo emas — masalan, mintaqaviy jurnal DOAJ'da boʻlmasligi mumkin.

Vaqt boʻyicha

Vaqt boʻyicha tahlil

Iqtibos sharhi

Yillar boʻyicha nashrlar (ustun) va iqtiboslar (chiziq)

  • Nashrlar
  • Iqtiboslar
01203581020102015201820192020202120222023202420252010: Nashrlar 2, Iqtiboslar 02015: Nashrlar 1, Iqtiboslar 02018: Nashrlar 1, Iqtiboslar 02019: Nashrlar 1, Iqtiboslar 02020: Nashrlar 2, Iqtiboslar 22021: Nashrlar 0, Iqtiboslar 22022: Nashrlar 1, Iqtiboslar 22023: Nashrlar 0, Iqtiboslar 72024: Nashrlar 0, Iqtiboslar 22025: Nashrlar 0, Iqtiboslar 1

Iqtibos tarixi

03581020102015201820192020202120222023202420252010: Iqtiboslar 02015: Iqtiboslar 02018: Iqtiboslar 02019: Iqtiboslar 02020: Iqtiboslar 22021: Iqtiboslar 22022: Iqtiboslar 22023: Iqtiboslar 72024: Iqtiboslar 22025: Iqtiboslar 1

Nashr tarixi

01220102015201820192020202120222023202420252010: Nashrlar 22015: Nashrlar 12018: Nashrlar 12019: Nashrlar 12020: Nashrlar 22021: Nashrlar 02022: Nashrlar 12023: Nashrlar 02024: Nashrlar 02025: Nashrlar 0

h-indeks evolyutsiyasi

Yillar boʻyicha jamlangan h-indeks

01220102015201820192020202120222023202420252010: h-indeks 12015: h-indeks 12018: h-indeks 12019: h-indeks 12020: h-indeks 12021: h-indeks 12022: h-indeks 12023: h-indeks 22024: h-indeks 22025: h-indeks 2

Eng koʻp iqtibos qilingan asarlar

  1. Clusters of nickel atoms and controlling their state in silicon lattice20189 iqtibos
  2. Current-voltage characteristic of the injection photodetector based on In–n-CdS–p-Si–In structure20195 iqtibos
  3. Effect of pressure on the characteristics of Schottky barrier diodes made of overcompensated semiconductor20102 iqtibos
  4. Research of structures with corrugated photoreceiving surface20041 iqtibos
  5. Influence of ion implantation and annealing on composition and structure of GaAs surface20020 iqtibos
  6. Effect of microwave treatment on the parameters of Au-TiBx-GaAs(SiC 6H) surface-barrier structures20030 iqtibos
  7. Features of growing epitaxial layers from solid solutions based on indium and aluminium arsenides20040 iqtibos
  8. Spectroscopy of (Si2)1-x(ZnS)x solid solutions20050 iqtibos
  9. p-n junctions obtained in (Ge2)x(GaAs)1–x varizone solid solutions by liquid phase epitaxy20050 iqtibos
  10. hotoconverters with microrelief p-n junction on a basis of p-AlxGa1-xAs – p-GaAs – n-GaAs – n+-GaAs heterojunction20050 iqtibos
AkademIndex'da koʻrish →