Asosiy kontentga oʻtish
AkademScholar

Mahsulotlar

Ishlab chiquvchilar uchun

AkademBasetez oradaDasturchilar API
Jurnal

Materials Sciences and Applications

ISSN:
2153-117X
2
h-indeks
10
Iqtiboslar
6
Asarlar

Ishonch signallari

1 dan 3 signal mavjud

Mustaqil ijobiy signallar — yagona “predator/qonuniy” hukmi emas, balki yaqinlashuvchi tasvir.

  • DOAJ
    Maʼlumot yoʻq
    doaj.org
  • OAK roʻyxati
    Maʼlumot yoʻq
    OAK
  • Yaroqli ISSN
    Mavjud
    ISSN

Bu axborot yorligʻi, rasmiy qaror emas. Signal yoʻqligi jazo emas — masalan, mintaqaviy jurnal DOAJ'da boʻlmasligi mumkin.

Vaqt boʻyicha

Vaqt boʻyicha tahlil

Iqtibos sharhi

Yillar boʻyicha nashrlar (ustun) va iqtiboslar (chiziq)

  • Nashrlar
  • Iqtiboslar
01201345201020112012201420172018202020212010: Nashrlar 1, Iqtiboslar 02011: Nashrlar 2, Iqtiboslar 12012: Nashrlar 1, Iqtiboslar 02014: Nashrlar 1, Iqtiboslar 02017: Nashrlar 0, Iqtiboslar 22018: Nashrlar 1, Iqtiboslar 42020: Nashrlar 0, Iqtiboslar 22021: Nashrlar 0, Iqtiboslar 1

Iqtibos tarixi

01345201020112012201420172018202020212010: Iqtiboslar 02011: Iqtiboslar 12012: Iqtiboslar 02014: Iqtiboslar 02017: Iqtiboslar 22018: Iqtiboslar 42020: Iqtiboslar 22021: Iqtiboslar 1

Nashr tarixi

012201020112012201420172018202020212010: Nashrlar 12011: Nashrlar 22012: Nashrlar 12014: Nashrlar 12017: Nashrlar 02018: Nashrlar 12020: Nashrlar 02021: Nashrlar 0

h-indeks evolyutsiyasi

Yillar boʻyicha jamlangan h-indeks

012201020112012201420172018202020212010: h-indeks 02011: h-indeks 12012: h-indeks 12014: h-indeks 12017: h-indeks 12018: h-indeks 22020: h-indeks 22021: h-indeks 2

Eng koʻp iqtibos qilingan asarlar

  1. Nonequilibrium Diffusion of Boron in SiC at Low Temperatures20105 iqtibos
  2. Influence of Defects on Low Temperature Diffusion of Boron in SiC20114 iqtibos
  3. Electronic Structure of Single-Crystal CaF<sub>2</sub>(111) with Nanoscale Phases of Ca and Si20181 iqtibos
  4. Influence of Twisting Degree and Number of Cords on the Structure of Silk20110 iqtibos
  5. The Transformation of the Heterogeneous Materials under the Fatigue Deformation20120 iqtibos
  6. Multilayer GaAs-Based Heterostructures with Holographic Concentrator for Solar Cells20140 iqtibos
AkademIndex'da koʻrish →