S. Rendakova

Eng koʻp iqtibos qilingan asarlar

1. 4H-SiC Layers Grown by Liquid Phase Epitaxy on 4H-SiC Off-Axis Substrates20002 iqtibos
2. 4H-SiC CVD Epitaxial Layers with Improved Structural Quality Grown on SiC Wafers with Reduced Micropipe Density20000 iqtibos

Hammualliflar

1. V. Dmitriev2 ta umumiy asar2000
2. A. S. Zubrilov2 ta umumiy asar2000
3. N.I. Kuznetsov2 ta umumiy asar2000
4. В. А. Соловьев1 ta umumiy asar2000
5. Irina P. Nikitina1 ta umumiy asar2000
6. D. A. Bauman1 ta umumiy asar2000
7. V. Ivantsov1 ta umumiy asar2000
8. V.A. Sukhoveyev1 ta umumiy asar2000
9. György Vida1 ta umumiy asar2000
10. Susanne Karlsson1 ta umumiy asar2000

Barcha hammualliflar →