Asosiy kontentga oʻtish
AkademScholar
Mualliflar

N.I. Kuznetsov

Soʻnggi maʼlum muassasa:
Fizika-Texnika Instituti
ORCID:
0000-0001-5378-3860
2
h-indeks
0
i10-indeksi
9
Iqtiboslar
13
Asarlar
Vaqt boʻyicha

Vaqt boʻyicha tahlil

Iqtibos sharhi

Yillar boʻyicha nashrlar (ustun) va iqtiboslar (chiziq)

  • Nashrlar
  • Iqtiboslar
01345013451997199820002002200320172018201920201997: Nashrlar 1, Iqtiboslar 01998: Nashrlar 1, Iqtiboslar 02000: Nashrlar 4, Iqtiboslar 02002: Nashrlar 2, Iqtiboslar 02003: Nashrlar 4, Iqtiboslar 42017: Nashrlar 0, Iqtiboslar 12018: Nashrlar 1, Iqtiboslar 22019: Nashrlar 0, Iqtiboslar 12020: Nashrlar 0, Iqtiboslar 1

Iqtibos tarixi

013451997199820002002200320172018201920201997: Iqtiboslar 01998: Iqtiboslar 02000: Iqtiboslar 02002: Iqtiboslar 02003: Iqtiboslar 42017: Iqtiboslar 12018: Iqtiboslar 22019: Iqtiboslar 12020: Iqtiboslar 1

Nashr tarixi

013451997199820002002200320172018201920201997: Nashrlar 11998: Nashrlar 12000: Nashrlar 42002: Nashrlar 22003: Nashrlar 42017: Nashrlar 02018: Nashrlar 12019: Nashrlar 02020: Nashrlar 0

h-indeks evolyutsiyasi

Yillar boʻyicha jamlangan h-indeks

0121997199820002002200320172018201920201997: h-indeks 01998: h-indeks 02000: h-indeks 02002: h-indeks 02003: h-indeks 22017: h-indeks 22018: h-indeks 22019: h-indeks 22020: h-indeks 2

Eng koʻp iqtibos qilingan asarlar

  1. 4H-SiC Layers Grown by Liquid Phase Epitaxy on 4H-SiC Off-Axis Substrates20002 iqtibos
  2. Electrical Characteristics of 4H-SiC pn Diode Grown by LPE Method20022 iqtibos
  3. Optically Transparent 6H-Silicon Carbide19980 iqtibos
  4. Structural, Electrical and Optical Properties of Bulk 4H and 6H p-Type SiC20000 iqtibos
  5. 4H-SiC CVD Epitaxial Layers with Improved Structural Quality Grown on SiC Wafers with Reduced Micropipe Density20000 iqtibos
  6. Electric Characteristics of 6H-SiC/GaN Isotype n-n Heterojunctions20000 iqtibos
  7. Reliable Ohmic Contacts to LPE p-Type 4H-SiC for High-Power p-n Diode20020 iqtibos
  8. Pd-Based Ohmic Contacts to LPE 4H-SiC with Improved Thermal Stability20030 iqtibos
  9. Reliability of 4H-SiC p-n Diodes on LPE Grown Layers20030 iqtibos
  10. Porous SiC: New Applications through In- and Out- Dopant Diffusion20030 iqtibos

Hammualliflar

  1. Konstantinos Zekentes4 ta umumiy asar2002–2003
  2. Roumen Kakanakov4 ta umumiy asar2002–2003
  3. A. S. Zubrilov4 ta umumiy asar1998–2000
  4. D. A. Bauman3 ta umumiy asar2000–2003
  5. Liliana Kassamakova3 ta umumiy asar2002–2003
  6. N. Hristeva3 ta umumiy asar2002–2003
  7. G. Lepoeva3 ta umumiy asar2002–2003
  8. Evgenia V. Kalinina3 ta umumiy asar2000–2002
  9. Irina P. Nikitina3 ta umumiy asar2000
  10. V. Ivantsov2 ta umumiy asar2000–2003

Barcha hammualliflar →