Asosiy kontentga oʻtish
AkademScholar

Kashfiyot

Xizmatlar

Identifikatsiya

Ishlab chiquvchilar uchun

Ekotizim

Mualliflar

A.Sh. Davletova

Soʻnggi maʼlum muassasa:
Toshkent Kimyo Xalqaro Universiteti
1
h-indeks
0
i10-indeksi
1
Iqtiboslar
5
Asarlar
Vaqt boʻyicha

Vaqt boʻyicha tahlil

Iqtibos sharhi

Yillar boʻyicha nashrlar (ustun) va iqtiboslar (chiziq)

  • Nashrlar
  • Iqtiboslar
01201200120042005200620092001: Nashrlar 1, Iqtiboslar 02004: Nashrlar 1, Iqtiboslar 02005: Nashrlar 0, Iqtiboslar 12006: Nashrlar 2, Iqtiboslar 02009: Nashrlar 1, Iqtiboslar 0

Iqtibos tarixi

01200120042005200620092001: Iqtiboslar 02004: Iqtiboslar 02005: Iqtiboslar 12006: Iqtiboslar 02009: Iqtiboslar 0

Nashr tarixi

012200120042005200620092001: Nashrlar 12004: Nashrlar 12005: Nashrlar 02006: Nashrlar 22009: Nashrlar 1

h-indeks evolyutsiyasi

Yillar boʻyicha jamlangan h-indeks

01200120042005200620092001: h-indeks 02004: h-indeks 02005: h-indeks 12006: h-indeks 12009: h-indeks 1

Eng koʻp iqtibos qilingan asarlar

  1. An ionization-type Si:S-based semiconductor converter of infrared images with sensitivity in the spectral range of CO2-laser radiation20011 iqtibos
  2. Dependence of spectral and volt-amper characteristics forms of IR-radiating diodes from the way, material and doping level of the working layers, produced by liquid-phase method20040 iqtibos
  3. Peculiarities of spectral characteristics of IR-light emitting diodes obtained by the liquid phase epitaxy20060 iqtibos
  4. Light emitting diodes structures obtained by overlapping the liquid phase epitaxy and gas phase diffusion of Zn20060 iqtibos
  5. Sensitivity of dislocation engineered Si p-n junctions to influence of illumination and ultrasound20090 iqtibos

Hammualliflar

  1. А. Кутлимратов3 ta umumiy asar2004–2006
  2. Smagul Karazhanov1 ta umumiy asar2009
  3. S. Khakimova1 ta umumiy asar2004
  4. V. T. Tulanov1 ta umumiy asar2001
  5. Kh. B. Siyabekov1 ta umumiy asar2001
  6. Kamila A. Ortaeva1 ta umumiy asar2001
AkademIndex'da koʻrish →