Asosiy kontentga oʻtish
AkademScholar
Mualliflar

А. Кутлимратов

Ism variantlari: A. Kutlimratov · Aleksandr Kutlimratov · a kutlimratov

Soʻnggi maʼlum muassasa:
Oʻzbekiston Respublikasi Fanlar Akademiyasi
ORCID:
0000-0001-6390-7812
2
h-indeks
1
i10-indeksi
20
Iqtiboslar
22
Asarlar
Vaqt boʻyicha

Vaqt boʻyicha tahlil

Iqtibos sharhi

Yillar boʻyicha nashrlar (ustun) va iqtiboslar (chiziq)

  • Nashrlar
  • Iqtiboslar
013450134520152017201820202021202220232024202520262015: Nashrlar 1, Iqtiboslar 02017: Nashrlar 3, Iqtiboslar 02018: Nashrlar 1, Iqtiboslar 02020: Nashrlar 0, Iqtiboslar 12021: Nashrlar 1, Iqtiboslar 02022: Nashrlar 2, Iqtiboslar 42023: Nashrlar 2, Iqtiboslar 32024: Nashrlar 1, Iqtiboslar 42025: Nashrlar 2, Iqtiboslar 42026: Nashrlar 2, Iqtiboslar 4

Iqtibos tarixi

0134520152017201820202021202220232024202520262015: Iqtiboslar 02017: Iqtiboslar 02018: Iqtiboslar 02020: Iqtiboslar 12021: Iqtiboslar 02022: Iqtiboslar 42023: Iqtiboslar 32024: Iqtiboslar 42025: Iqtiboslar 42026: Iqtiboslar 4

Nashr tarixi

0134520152017201820202021202220232024202520262015: Nashrlar 12017: Nashrlar 32018: Nashrlar 12020: Nashrlar 02021: Nashrlar 12022: Nashrlar 22023: Nashrlar 22024: Nashrlar 12025: Nashrlar 22026: Nashrlar 2

h-indeks evolyutsiyasi

Yillar boʻyicha jamlangan h-indeks

01220152017201820202021202220232024202520262015: h-indeks 02017: h-indeks 02018: h-indeks 02020: h-indeks 12021: h-indeks 12022: h-indeks 12023: h-indeks 22024: h-indeks 22025: h-indeks 22026: h-indeks 2

Eng koʻp iqtibos qilingan asarlar

  1. Investigation of the Crystallographic Perfection and Photoluminescence Spectrum of the Epitaxial Films of (Si2)1-x(GaP)x<a:math xmlns:a="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" id="M1"> <a:mfenced open="(" close=")" separators="|"> <a:mrow> <a:mn>0</a:mn> <a:mo>≤</a:mo> <a:mi>x</a:mi> <a:mo>≤</a:mo> <a:mn>1</a:mn> </a:mrow> </a:mfenced> </a:math> Solid Solution, Grown on Si and GaP Substrates with the Crystallographic Orientation (111)202113 iqtibos
  2. Spectral and current-voltage characteristics of Si-Si1−xGex heterostructures grown by liquid phase epitaxy20014 iqtibos
  3. Structial, Electrophysical, and Optical Properties of ITO Films Produced by the Modified CVD Method20221 iqtibos
  4. Current Transport Mechanisms and Electrophysical Characteristics of the 4H-SiC p-n Junctions Formed by Aluminum Diffusion20241 iqtibos
  5. Creation and electrical properties of p-Cu2ZnSnS4/n-Si heterojunctions20171 iqtibos
  6. Study of current-voltage characteristics of Si-(Si 2 ) 1-x (GaAs) x grown on polycrystal silicon substrate by Liquid Phase Epitaxy method20040 iqtibos
  7. IR-radiating diodes made of GaAs by liquid-phase epitaxy and gas-phase Zn doping20040 iqtibos
  8. Interrelation between the form of VACh and technological conditions of light-emitting diodes production on the basis of GaAs by liquid-phase method20040 iqtibos
  9. Dependence of spectral and volt-amper characteristics forms of IR-radiating diodes from the way, material and doping level of the working layers, produced by liquid-phase method20040 iqtibos
  10. Peculiarities of spectral characteristics of IR-light emitting diodes obtained by the liquid phase epitaxy20060 iqtibos

Hammualliflar

  1. А. С. Саидов7 ta umumiy asar2001–2026
  2. Kh. N. Juraev4 ta umumiy asar2023–2025
  3. D. V. Saparov3 ta umumiy asar2021–2026
  4. U. Kh. Rakhmonov3 ta umumiy asar2018–2026
  5. R. R. Kabulov3 ta umumiy asar2022–2025
  6. Zafar Turaev3 ta umumiy asar2017
  7. A.Sh. Davletova3 ta umumiy asar2004–2006
  8. Sh.N. Usmonov2 ta umumiy asar2025–2026
  9. M. U. Hajiev2 ta umumiy asar2024–2025
  10. Dilmurod Saidov2 ta umumiy asar2023–2025

Barcha hammualliflar →