Asosiy kontentga oʻtish
AkademScholar

Kashfiyot

Xizmatlar

Identifikatsiya

Ishlab chiquvchilar uchun

Ekotizim

Mualliflar

A. Sh. Razzokov

Ism variantlari: Alijon Razzokov

Soʻnggi maʼlum muassasa:
Urganch davlat universiteti
ORCID:
0000-0002-2210-6207
4
h-indeks
0
i10-indeksi
24
Iqtiboslar
18
Asarlar
Vaqt boʻyicha

Vaqt boʻyicha tahlil

Iqtibos sharhi

Yillar boʻyicha nashrlar (ustun) va iqtiboslar (chiziq)

  • Nashrlar
  • Iqtiboslar
035810051015202021202220232024202520262021: Nashrlar 2, Iqtiboslar 02022: Nashrlar 4, Iqtiboslar 12023: Nashrlar 2, Iqtiboslar 22024: Nashrlar 2, Iqtiboslar 12025: Nashrlar 7, Iqtiboslar 112026: Nashrlar 1, Iqtiboslar 9

Iqtibos tarixi

051015202021202220232024202520262021: Iqtiboslar 02022: Iqtiboslar 12023: Iqtiboslar 22024: Iqtiboslar 12025: Iqtiboslar 112026: Iqtiboslar 9

Nashr tarixi

0358102021202220232024202520262021: Nashrlar 22022: Nashrlar 42023: Nashrlar 22024: Nashrlar 22025: Nashrlar 72026: Nashrlar 1

h-indeks evolyutsiyasi

Yillar boʻyicha jamlangan h-indeks

013452021202220232024202520262021: h-indeks 02022: h-indeks 12023: h-indeks 12024: h-indeks 12025: h-indeks 32026: h-indeks 4

Eng koʻp iqtibos qilingan asarlar

  1. Growth and Morphological Study of Graded-Gap Si–Si1 – xGex–GaAs Structures20227 iqtibos
  2. Features of growing Si- and Si<sub>1-<i>x</i></sub>Ge<sub><i>x</i></sub>-single-crystal films from solution-melt based on tin20226 iqtibos
  3. Obtaining Si-Si<sub>1-x</sub>Ge<sub>x</sub>-(Si<sub>1-x</sub>Ge<sub>x</sub>)<sub>1-z</sub>(Al<sub>1-y</sub>Ga<sub>y</sub>As)<sub>z</sub>-Si<sub>1-x</sub>Ge<sub>x</sub>-(Si<sub>1-x</sub>Ge<sub>x</sub>)<sub>1-z</sub>(Al<sub>1-y</sub>Ga<sub>y</sub>As)<sub>z</sub> Structures from a Tin Solution-Melt in a Single Technological Cycle20224 iqtibos
  4. Studies of the crystal structure of solid solutions (Sn2)1−x−y(GaAs)x(ZnSe)y, (GaAs)1−x(ZnSe)x grown from liquid phase20234 iqtibos
  5. Оbtaining and Electrophysical Properties of (Ge2)1 – x(GaAs)x Solid Solutions20252 iqtibos
  6. Optimal Regime for Growth of Epitaxial Germanium Layers from the Liquid Phase Based on Thermodynamic Calculations20221 iqtibos
  7. THERMODYNAMIC BASES OF OBTAINING CRYSTALLINE PERFECT SILICON FROM SOLUTION-MELT20210 iqtibos
  8. Thermodynamic Bases for Obtaining Crystalline Perfect Silicon from Tin-silicon Solution20210 iqtibos
  9. Growth of Epitaxial Layers of the Si&lt;sub&gt;1-x-y&lt;/sub&gt;Ge&lt;sub&gt;x&lt;/sub&gt;Sn&lt;sub&gt;y&lt;/sub&gt; Solid Solution from a Tin Solution-Melt20230 iqtibos
  10. Theoretical Evaluation of Silicon Crystal Growth Using Gallium Solvent20240 iqtibos

Hammualliflar

  1. А. С. Саидов8 ta umumiy asar2022–2025
  2. Khushnudbek Eshchanov6 ta umumiy asar2021–2025
  3. С.И. Петрушенко4 ta umumiy asar2022–2025
  4. С.В. Дукаров3 ta umumiy asar2022–2025
  5. V. V. Girzhon3 ta umumiy asar2022–2025
  6. D.E. Koshchanova2 ta umumiy asar2024–2025
  7. Amin Saidov1 ta umumiy asar2026
  8. Shukrullo Usmonov1 ta umumiy asar2026
  9. Dadajon Saparov1 ta umumiy asar2026
  10. Rizobek Razzakov1 ta umumiy asar2026

Barcha hammualliflar →

AkademIndex'da koʻrish →