Asosiy kontentga oʻtish
AkademScholar

Kashfiyot

Xizmatlar

Identifikatsiya

Ishlab chiquvchilar uchun

Ekotizim

Mualliflar

U. P. Asatova

Soʻnggi maʼlum muassasa:
Urganch davlat universiteti
ORCID:
0000-0002-5256-8760
3
h-indeks
0
i10-indeksi
18
Iqtiboslar
9
Asarlar
Vaqt boʻyicha

Vaqt boʻyicha tahlil

Iqtibos sharhi

Yillar boʻyicha nashrlar (ustun) va iqtiboslar (chiziq)

  • Nashrlar
  • Iqtiboslar
0120134520122014201520192020202120222023202420262012: Nashrlar 1, Iqtiboslar 02014: Nashrlar 0, Iqtiboslar 12015: Nashrlar 0, Iqtiboslar 22019: Nashrlar 0, Iqtiboslar 22020: Nashrlar 2, Iqtiboslar 32021: Nashrlar 0, Iqtiboslar 22022: Nashrlar 1, Iqtiboslar 32023: Nashrlar 0, Iqtiboslar 12024: Nashrlar 1, Iqtiboslar 42026: Nashrlar 1, Iqtiboslar 0

Iqtibos tarixi

0134520122014201520192020202120222023202420262012: Iqtiboslar 02014: Iqtiboslar 12015: Iqtiboslar 22019: Iqtiboslar 22020: Iqtiboslar 32021: Iqtiboslar 22022: Iqtiboslar 32023: Iqtiboslar 12024: Iqtiboslar 42026: Iqtiboslar 0

Nashr tarixi

01220122014201520192020202120222023202420262012: Nashrlar 12014: Nashrlar 02015: Nashrlar 02019: Nashrlar 02020: Nashrlar 22021: Nashrlar 02022: Nashrlar 12023: Nashrlar 02024: Nashrlar 12026: Nashrlar 1

h-indeks evolyutsiyasi

Yillar boʻyicha jamlangan h-indeks

0134520122014201520192020202120222023202420262012: h-indeks 02014: h-indeks 12015: h-indeks 12019: h-indeks 12020: h-indeks 22021: h-indeks 22022: h-indeks 22023: h-indeks 22024: h-indeks 32026: h-indeks 3

Eng koʻp iqtibos qilingan asarlar

  1. Growth of (InSb)1 − x (Sn2) x films on GaAs substrates by liquid-phase epitaxy20109 iqtibos
  2. Growth of Ge1 − x Sn x solid solution films and study of their structural properties and some of their photoelectric properties20124 iqtibos
  3. Active solar energy material science thermoelectric properties of nGe-p(InSb)1 − x (Sn2) x heterostructures20103 iqtibos
  4. Peculiarities of the Current–Voltage Characteristic of n-GaP–p-(InSb)1 – x(Sn2)x Heterostructures20201 iqtibos
  5. Features of Liquid–Phase Epitaxy of (InSb)<sub>1–z</sub>(Sn2)<sub>z</sub> Solid Solutions of Molecular Substitution on GaAs and GaP Substrates20221 iqtibos
  6. The influence of Co 60 quanta on current characteristics of rectifier columns on the base of silicon19950 iqtibos
  7. Особенности вольт-амперной характеристики гетероструктуры n-GaP--p-(InSb)-=SUB=-1-x-=/SUB=-(Sn-=SUB=-2-=/SUB=-)-=SUB=-x-=/SUB=-20200 iqtibos
  8. Regarding Spectrum Photosensitivity and Certain GaAs’s Structural Properties Heterostructures, Namely (GaAs)<sub>1-x-y</sub>(Ge2)<sub>x</sub>(ZnSe)<sub>y</sub>20240 iqtibos
  9. First-principles study of cooperative GaP incorporation and defect clustering in silicon20260 iqtibos

Hammualliflar

  1. А. С. Саидов5 ta umumiy asar2010–2024
  2. Sh. N. Usmonov4 ta umumiy asar2010–2020
  3. Shukrullo Usmonov2 ta umumiy asar2022–2024
  4. Shahzod Masharipov1 ta umumiy asar2026
  5. Amin Saidov1 ta umumiy asar2026
  6. Shukrullo Usmonov1 ta umumiy asar2026
  7. D. V. Saparov1 ta umumiy asar2024
  8. Shavkat Ismailov1 ta umumiy asar2024
  9. A. M. Akhmedov1 ta umumiy asar2022
  10. A. Yu. Leĭderman1 ta umumiy asar2020

Barcha hammualliflar →

AkademIndex'da koʻrish →