U. Kh. Rakhmonov
- Soʻnggi maʼlum muassasa:
- Oʻzbekiston Respublikasi Fanlar Akademiyasi
- ORCID:
- 0000-0003-4774-1247
2
h-indeks
0
i10-indeksi
17
Iqtiboslar
17
Asarlar
Vaqt boʻyicha
Vaqt boʻyicha tahlil
Iqtibos sharhi
Yillar boʻyicha nashrlar (ustun) va iqtiboslar (chiziq)
- Nashrlar
- Iqtiboslar
Iqtibos tarixi
Nashr tarixi
h-indeks evolyutsiyasi
Yillar boʻyicha jamlangan h-indeks
Eng koʻp iqtibos qilingan asarlar
- Study of properties of tellurium-doped indium phosphide as photoconversion material20144 iqtibos
- Thermovoltaic processes in gallium arsenide doped with tin20123 iqtibos
- Heat-voltaic effect of pSi-n(ZnSe)1 − x − y (Si2) x (GaP) y structures20102 iqtibos
- Spectral Photosensitivity ofpSi—n(ZnSe)1 −x−y (Si2) x (GaP) y Structures20102 iqtibos
- Processes of Current Transport in p-Si-n-(Si<sub>2</sub>)<sub>1−</sub><i><sub>y</sub></i><sub>−</sub><i><sub>z</sub></i>(GaP)<i><sub>y</sub></i>(ZnSe)<i><sub>z</sub></i> Heterostructure Produced by Liquid Phase Epitaxy20221 iqtibos
- Fabrication of Si/CdTe Heterostructure via Vacuum Thermal Evaporation: Synthesis and Properties Characterization20251 iqtibos
- Temperature-dependent dark I–V transport and barrier inhomogeneity in VTE-grown CdTe/Si heterojunction20261 iqtibos
- Multicomponent Solid Solutions (ZnSe)1-x-y(Si2)x(GaP)y20121 iqtibos
- Study of GaSb doped with Te as a material for photovoltaic systems20151 iqtibos
- Photothermovoltaic effect in a pSi-n(Si2)1 − x − y (ZnSe) x (GaP) y (0 ≤ x ≤ 0.88, 0 ≤ y ≤ 0.09) structure20131 iqtibos
Hammualliflar
- А. С. Саидов11 ta umumiy asar2010–2026
- Sh. N. Usmonov5 ta umumiy asar2010–2023
- A. Yu. Leĭderman4 ta umumiy asar2012–2018
- D. V. Saparov3 ta umumiy asar2022–2026
- А. Кутлимратов3 ta umumiy asar2018–2026
- M. M. Khashaev2 ta umumiy asar2014–2015
- М. С. Саидов2 ta umumiy asar2010–2013
- A.E. Abdikarimov1 ta umumiy asar2026
- M. U. Hajiev1 ta umumiy asar2026
- Sherzod Xazratqulovich Mavlonov1 ta umumiy asar2026