Asosiy kontentga oʻtish
AkademScholar
Mualliflar

A. А. Lebedev

Ism variantlari: a a lebedev

Soʻnggi maʼlum muassasa:
Russian Academy of Sciences
ORCID:
0000-0003-0829-5053
3
h-indeks
0
i10-indeksi
26
Iqtiboslar
31
Asarlar
Vaqt boʻyicha

Vaqt boʻyicha tahlil

Iqtibos sharhi

Yillar boʻyicha nashrlar (ustun) va iqtiboslar (chiziq)

  • Nashrlar
  • Iqtiboslar
013450134520052006200720082009201320152018202420262005: Nashrlar 3, Iqtiboslar 22006: Nashrlar 3, Iqtiboslar 12007: Nashrlar 1, Iqtiboslar 12008: Nashrlar 1, Iqtiboslar 02009: Nashrlar 2, Iqtiboslar 02013: Nashrlar 1, Iqtiboslar 22015: Nashrlar 1, Iqtiboslar 02018: Nashrlar 1, Iqtiboslar 22024: Nashrlar 0, Iqtiboslar 42026: Nashrlar 0, Iqtiboslar 1

Iqtibos tarixi

0134520052006200720082009201320152018202420262005: Iqtiboslar 22006: Iqtiboslar 12007: Iqtiboslar 12008: Iqtiboslar 02009: Iqtiboslar 02013: Iqtiboslar 22015: Iqtiboslar 02018: Iqtiboslar 22024: Iqtiboslar 42026: Iqtiboslar 1

Nashr tarixi

0134520052006200720082009201320152018202420262005: Nashrlar 32006: Nashrlar 32007: Nashrlar 12008: Nashrlar 12009: Nashrlar 22013: Nashrlar 12015: Nashrlar 12018: Nashrlar 12024: Nashrlar 02026: Nashrlar 0

h-indeks evolyutsiyasi

Yillar boʻyicha jamlangan h-indeks

0134520052006200720082009201320152018202420262005: h-indeks 22006: h-indeks 22007: h-indeks 22008: h-indeks 22009: h-indeks 22013: h-indeks 22015: h-indeks 22018: h-indeks 32024: h-indeks 32026: h-indeks 3

Eng koʻp iqtibos qilingan asarlar

  1. Investigation of p-3C-SiC/n+-6H-SiC Heterojunctions with Low Doped p-3C-SiC Region20032 iqtibos
  2. High-Quality 3C-SiC pn-Structures Created by Sublimation Epitaxy on a 6H-SiC Substrate20042 iqtibos
  3. Doping of <i>n</i>-type 6H–SiC and 4H–SiC with defects created with a proton beam20001 iqtibos
  4. Characterization of 3C-SiC/6H-SiC Heterostructures Grown by Vacuum Sublimation20031 iqtibos
  5. Characteristics of 6H-SiC Bipolar JTE Diodes Realized by Sublimation Epitaxy and Al Implantation20041 iqtibos
  6. Temperature Dependence of the Band-Edge Injection Electroluminescence of 3C-SiC pn Structure20071 iqtibos
  7. Radiative and Radiationless Recombination Processes in 6H and 4H SiC Diodes and the Effect of Deep Centres19930 iqtibos
  8. Deep Centres Appearing in 6H and 4H SiC after Proton Irradiation20000 iqtibos
  9. Growth of SiC and GaN on Porous Buffer Layers20000 iqtibos
  10. p-3C-SiC/n-6H-SiC Heterojunctions: Structural and Electrical Characterization20020 iqtibos

Hammualliflar

  1. Anatoly M. Strel’chuk19 ta umumiy asarSkelet yozuvlar: 21993–2018
  2. N.S. Savkina12 ta umumiy asar2000–2007
  3. Alexey N. Kuznetsov9 ta umumiy asar2000–2007
  4. Vitalii V. Kozlovski5 ta umumiy asar2000–2018
  5. A. S. Tregubova5 ta umumiy asar2000–2005
  6. D. V. Davydov5 ta umumiy asar2000–2004
  7. Evgenia V. Kalinina4 ta umumiy asar2006–2013
  8. Alexander M. Ivanov4 ta umumiy asar2003–2009
  9. N. B. Strokan4 ta umumiy asar2003–2009
  10. Rositza Yakimova3 ta umumiy asar2003–2008

Barcha hammualliflar →